晶体管类型：4 PNP（四路）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：200mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：40V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：400mV @ 5mA，50mA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 10mA，1V
功率 - 最大值：1W
频率 - 跃迁：450MHz
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：16-SOIC
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs